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MRF5S9100NBR1

MRF5S9100NBR1

僅供參考

型號 MRF5S9100NBR1
PNEDA編號 MRF5S9100NBR1
描述 FET RF 68V 880MHZ TO-272-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5S9100NBR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5S9100NBR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF5S9100NBR1, MRF5S9100NBR1數據表 (總頁數: 12, 大小: 556.96 KB)
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MRF5S9100NBR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益19.5dB
電壓-測試26V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出20W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-272BB
供應商設備包裝TO-272 WB-4

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NXP USA Inc.

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頻率

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增益

12.5dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

800mA

功率-輸出

90W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

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32dB

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

0.9dB

當前-測試

19mA

功率-輸出

-

電壓-額定

6V

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晶體管類型

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頻率

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增益

19dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.8A

功率-輸出

220W

電壓-額定

65V

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