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MRF6S19060GNR1

MRF6S19060GNR1

僅供參考

型號 MRF6S19060GNR1
PNEDA編號 MRF6S19060GNR1
描述 FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19060GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19060GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19060GNR1, MRF6S19060GNR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 989.97 KB)
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MRF6S19060GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.93GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試610mA
功率-輸出12W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270BA
供應商設備包裝TO-270-2 GULL

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噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

N-Channel

頻率

175MHz

增益

15dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

20A

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

125V

包裝/箱

M244

供應商設備包裝

M244

CG2H40025F

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制造商

Cree/Wolfspeed

系列

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晶體管類型

HEMT

頻率

6GHz

增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

-

電壓-額定

120V

包裝/箱

440166

供應商設備包裝

440166

PTFA192001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

15.9dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.8A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

H-36260-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

900MHz ~ 1.215GHz

增益

20.3dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

100µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

275W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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