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MRF6S19100GNR1

MRF6S19100GNR1

僅供參考

型號 MRF6S19100GNR1
PNEDA編號 MRF6S19100GNR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100GNR1, MRF6S19100GNR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 986.24 KB)
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MRF6S19100GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270BA
供應商設備包裝TO-270-2 GULL

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噪聲系數

-

當前-測試

300mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S-4

供應商設備包裝

NI-780S-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

230MHz

增益

24dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

1250W

電壓-額定

133V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-1230-4S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.12GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

30W

電壓-額定

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制造商

Infineon Technologies

系列

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頻率

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增益

18dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

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電壓-額定

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電壓-測試

32V

額定電流(安培)

14A

噪聲系數

-

當前-測試

400mA

功率-輸出

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