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MRF6S19100NR1

MRF6S19100NR1

僅供參考

型號 MRF6S19100NR1
PNEDA編號 MRF6S19100NR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100NR1, MRF6S19100NR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 986.24 KB)
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MRF6S19100NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270AB
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

12W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1121B

供應商設備包裝

LDMOST

PD55015STR-E

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

500MHz

增益

14dB

電壓-測試

12.5V

額定電流(安培)

5A

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

15W

電壓-額定

40V

包裝/箱

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供應商設備包裝

PowerSO-10RF (Straight Lead)

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

10dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

140mA

功率-輸出

1W

電壓-額定

15V

包裝/箱

NI-360HF

供應商設備包裝

NI-360HF

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.69GHz

增益

14.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

9W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S-4L4L-8

供應商設備包裝

NI-780S-4L4L-8

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

15.9dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.8A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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