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MRF6S21100HR5

MRF6S21100HR5

僅供參考

型號 MRF6S21100HR5
PNEDA編號 MRF6S21100HR5
描述 FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S21100HR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S21100HR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S21100HR5, MRF6S21100HR5數據表 (總頁數: 15, 大小: 724.82 KB)
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MRF6S21100HR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.17GHz
增益15.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出23W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.73A

功率-輸出

65W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1251-3

供應商設備包裝

8-DFM

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

19dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2A

功率-輸出

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電壓-額定

65V

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增益

11dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

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電壓-額定

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