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MRF6S9060NR1

MRF6S9060NR1

僅供參考

型號 MRF6S9060NR1
PNEDA編號 MRF6S9060NR1
描述 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S9060NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S9060NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S9060NR1, MRF6S9060NR1數據表 (總頁數: 18, 大小: 848.69 KB)
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MRF6S9060NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益21.4dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試450mA
功率-輸出14W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270AA
供應商設備包裝TO-270-2

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增益

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

PD54003-E

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

500MHz

增益

12dB

電壓-測試

7.5V

額定電流(安培)

4A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

25V

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

11.5dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

90W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

NI-880S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

17.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

56W

電壓-額定

66V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

11.5dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

55mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

15V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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