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MRF6V12250HR3

MRF6V12250HR3

僅供參考

型號 MRF6V12250HR3
PNEDA編號 MRF6V12250HR3
描述 FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6V12250HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6V12250HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6V12250HR3, MRF6V12250HR3數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,320.3 KB)
PDFMRF6V12250HSR3數據表 封面
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MRF6V12250HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.03GHz
增益20.3dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出275W
電壓-額定100V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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電壓-測試

32V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM-780-2

供應商設備包裝

OM-780-2

BLF546,112

Ampleon

制造商

Ampleon USA Inc.

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晶體管類型

2 N-Channel (Dual) Common Source

頻率

500MHz

增益

13dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

9A

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

80W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Ampleon

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Ampleon USA Inc.

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-

頻率

-

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-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

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-

電壓-額定

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

15.8dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

200W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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PD85025STR-E

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

870MHz

增益

17.3dB

電壓-測試

13.6V

額定電流(安培)

7A

噪聲系數

-

當前-測試

300mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

40V

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