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MRF6V2010NBR5

MRF6V2010NBR5

僅供參考

型號 MRF6V2010NBR5
PNEDA編號 MRF6V2010NBR5
描述 FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6V2010NBR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6V2010NBR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6V2010NBR5, MRF6V2010NBR5數據表 (總頁數: 26, 大小: 1,456.06 KB)
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MRF6V2010NBR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率220MHz
增益23.9dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試30mA
功率-輸出10W
電壓-額定110V
包裝/箱TO-272BC
供應商設備包裝TO-272-2

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10µA

噪聲系數

-

當前-測試

120mA

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-37248-4

供應商設備包裝

H-37248-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

2.32GHz

增益

14.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780-4

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

1.3A

功率-輸出

250W

電壓-額定

104V

包裝/箱

SOT-979A

供應商設備包裝

CDFM2

制造商

NXP USA Inc.

系列

*

晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

940MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

39W

電壓-額定

66V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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