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MRF7S19080HR3

MRF7S19080HR3

僅供參考

型號 MRF7S19080HR3
PNEDA編號 MRF7S19080HR3
描述 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S19080HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S19080HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S19080HR3, MRF7S19080HR3數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,234.06 KB)
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MRF7S19080HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益18dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試750mA
功率-輸出24W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

110V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-1230

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當前-測試

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

500mA

功率-輸出

7W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

200mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

110V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

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系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.805GHz ~ 1.995GHz

增益

19.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1.4µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

60W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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