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MRF7S19120NR1

MRF7S19120NR1

僅供參考

型號 MRF7S19120NR1
PNEDA編號 MRF7S19120NR1
描述 FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S19120NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S19120NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S19120NR1, MRF7S19120NR1數據表 (總頁數: 14, 大小: 811.14 KB)
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MRF7S19120NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益18dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.2A
功率-輸出36W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270AB
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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供應商設備包裝

NI-780GS-2L2LA

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

100V

包裝/箱

OM-780-4L

供應商設備包裝

OM-780-4L

制造商

NXP USA Inc.

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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電壓-額定

68V

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

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頻率

2.3GHz ~ 2.4GHz

增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

SOT539B

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

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