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MRF7S21170HR3

MRF7S21170HR3

僅供參考

型號 MRF7S21170HR3
PNEDA編號 MRF7S21170HR3
描述 FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S21170HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S21170HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S21170HR3, MRF7S21170HR3數據表 (總頁數: 17, 大小: 507.95 KB)
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MRF7S21170HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.17GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出50W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-880
供應商設備包裝NI-880

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780

供應商設備包裝

NI-780

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

40.68MHz

增益

16dB

電壓-測試

150V

額定電流(安培)

13A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

150W

電壓-額定

1000V

包裝/箱

-

供應商設備包裝

T3

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Ampleon

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

108MHz

增益

28dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

350W

電壓-額定

135V

包裝/箱

SOT-1121B

供應商設備包裝

LDMOST

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

NI-880S

PTFA192001E1V4XWSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

15.9dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.8A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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