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MRF7S21210HR3

MRF7S21210HR3

僅供參考

型號 MRF7S21210HR3
PNEDA編號 MRF7S21210HR3
描述 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF7S21210HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF7S21210HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF7S21210HR3, MRF7S21210HR3數據表 (總頁數: 17, 大小: 984.52 KB)
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MRF7S21210HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.17GHz
增益18.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出63W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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電壓-測試

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8A

噪聲系數

-

當前-測試

300mA

功率-輸出

2W

電壓-額定

40V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

120W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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電壓-額定

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

360mA

功率-輸出

28W

電壓-額定

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供應商設備包裝

H-37248-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

13.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

22W

電壓-額定

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包裝/箱

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