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MRF8P20100HSR3

MRF8P20100HSR3

僅供參考

型號 MRF8P20100HSR3
PNEDA編號 MRF8P20100HSR3
描述 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P20100HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P20100HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P20100HSR3, MRF8P20100HSR3數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,275.51 KB)
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MRF8P20100HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.03GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試400mA
功率-輸出20W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-4
供應商設備包裝NI-780S-4

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4mA

噪聲系數

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當前-測試

800mA

功率-輸出

600W

電壓-額定

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包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

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頻率

871.5MHz ~ 891.5MHz

增益

20dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

49A

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

40W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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10mA

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12dBm

電壓-額定

4.5V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

130MHz

增益

26dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

110V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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