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MRF8P20140WGHSR3

MRF8P20140WGHSR3

僅供參考

型號 MRF8P20140WGHSR3
PNEDA編號 MRF8P20140WGHSR3
描述 FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P20140WGHSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P20140WGHSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P20140WGHSR3, MRF8P20140WGHSR3數據表 (總頁數: 17, 大小: 516.91 KB)
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MRF8P20140WGHSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.88GHz ~ 1.91GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試500mA
功率-輸出24W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-4
供應商設備包裝NI-780S-4

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

110W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

H-36248-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.99GHz

增益

18.2dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

74W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1110A

供應商設備包裝

NI1230-8

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

960MHz

增益

17.5dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

100W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270AB

供應商設備包裝

TO-270 WB-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

12dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

650mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

15V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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頻率

902MHz ~ 928MHz

增益

21.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

750W

電壓-額定

108V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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