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MRF8P23080HSR3

MRF8P23080HSR3

僅供參考

型號 MRF8P23080HSR3
PNEDA編號 MRF8P23080HSR3
描述 FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P23080HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P23080HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P23080HSR3, MRF8P23080HSR3數據表 (總頁數: 15, 大小: 699.49 KB)
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MRF8P23080HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.3GHz
增益14.6dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試280mA
功率-輸出16W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-4
供應商設備包裝NI-780S-4

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噪聲系數

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當前-測試

500mA

功率-輸出

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電壓-額定

84V

包裝/箱

440162

供應商設備包裝

440162

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

18.9dB

電壓-測試

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噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-780-2S2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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電壓-額定

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頻率

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

80mA

功率-輸出

8W

電壓-額定

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制造商

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晶體管類型

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頻率

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增益

13dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

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