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MRF8S18120HR3

MRF8S18120HR3

僅供參考

型號 MRF8S18120HR3
PNEDA編號 MRF8S18120HR3
描述 FET RF 65V 1.81GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S18120HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S18120HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8S18120HR3, MRF8S18120HR3數據表 (總頁數: 14, 大小: 459.85 KB)
PDFMRF8S18120HSR5數據表 封面
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MRF8S18120HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.81GHz
增益18.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試800mA
功率-輸出72W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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增益

12dB

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

60mA

噪聲系數

3dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

100mA

功率-輸出

250W

電壓-額定

135V

包裝/箱

SOT-1224-2

供應商設備包裝

4-HSOPF

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

11.5dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

55mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

15V

包裝/箱

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Ampleon

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1GHz

增益

18dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

1.4µA

噪聲系數

-

當前-測試

40mA

功率-輸出

60W

電壓-額定

110V

包裝/箱

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