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MRF8S26060HSR5

MRF8S26060HSR5

僅供參考

型號 MRF8S26060HSR5
PNEDA編號 MRF8S26060HSR5
描述 FET RF 65V 2.69GHZ
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S26060HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S26060HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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MRF8S26060HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.69GHz
增益16.3dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試450mA
功率-輸出15.5W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-400S-2S
供應商設備包裝NI-400S-2S

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.96GHz

增益

19.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

34W

電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

19.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2.15A

功率-輸出

60W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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頻率

3GHz ~ 3.5GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

150V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

24W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

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