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MRF8S8260HR3

MRF8S8260HR3

僅供參考

型號 MRF8S8260HR3
PNEDA編號 MRF8S8260HR3
描述 FET RF 70V 895MHZ NI880
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8S8260HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8S8260HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF

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MRF8S8260HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率895MHz
增益21.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.5A
功率-輸出70W
電壓-額定70V
包裝/箱NI-880
供應商設備包裝NI-880

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增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

68W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-37275-4

供應商設備包裝

H-37275-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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LDMOS (Dual)

頻率

860MHz

增益

22.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

1.4A

功率-輸出

90W

電壓-額定

110V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-1230

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.452GHz ~ 1.511GHz

增益

18.8dB

電壓-測試

31V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

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電壓-額定

65V

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制造商

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晶體管類型

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頻率

1.8GHz ~ 1.88GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

13A

噪聲系數

-

當前-測試

360mA

功率-輸出

2.5W

電壓-額定

65V

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

1.4A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

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