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MRFE6S9200HSR3

MRFE6S9200HSR3

僅供參考

型號 MRFE6S9200HSR3
PNEDA編號 MRFE6S9200HSR3
描述 FET RF 66V 880MHZ NI-880S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S9200HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S9200HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S9200HSR3, MRFE6S9200HSR3數據表 (總頁數: 11, 大小: 432.83 KB)
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MRFE6S9200HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益21dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出58W
電壓-額定66V
包裝/箱NI-880S
供應商設備包裝NI-880S

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增益

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電壓-測試

-

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

750mA

功率-輸出

24W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.8GHz ~ 1.88GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

13A

噪聲系數

-

當前-測試

360mA

功率-輸出

2.5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-608B

供應商設備包裝

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ATF-34143-BLKG

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制造商

Broadcom Limited

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

2GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

4V

額定電流(安培)

145mA

噪聲系數

0.5dB

當前-測試

60mA

功率-輸出

20dBm

電壓-額定

5.5V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

10dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

180mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

15V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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