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MRFE6VP61K25GNR6

MRFE6VP61K25GNR6

僅供參考

型號 MRFE6VP61K25GNR6
PNEDA編號 MRFE6VP61K25GNR6
描述 TRANS RF LDMOS 1250W 50V
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP61K25GNR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP61K25GNR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
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MRFE6VP61K25GNR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益23dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出1250W
電壓-額定133V
包裝/箱OM-1230G-4L
供應商設備包裝OM-1230G-4L

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25mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.805GHz ~ 1.88GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

31.5V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.08A

功率-輸出

56dBm

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM-1230-4L2S

供應商設備包裝

OM-1230-4L2S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

20.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

35W

電壓-額定

68V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.35A

功率-輸出

44W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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