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MRFE6VP61K25GNR6

MRFE6VP61K25GNR6

僅供參考

型號 MRFE6VP61K25GNR6
PNEDA編號 MRFE6VP61K25GNR6
描述 TRANS RF LDMOS 1250W 50V
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP61K25GNR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP61K25GNR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6VP61K25GNR6, MRFE6VP61K25GNR6數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,035.97 KB)
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MRFE6VP61K25GNR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益23dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出1250W
電壓-額定133V
包裝/箱OM-1230G-4L
供應商設備包裝OM-1230G-4L

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供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.16GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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電壓-額定

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NI-400S-2S

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系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.35A

功率-輸出

44W

電壓-額定

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

13A

噪聲系數

-

當前-測試

360mA

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