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MRFE6VP6300HSR5

MRFE6VP6300HSR5

僅供參考

型號 MRFE6VP6300HSR5
PNEDA編號 MRFE6VP6300HSR5
描述 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP6300HSR5資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP6300HSR5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6VP6300HSR5, MRFE6VP6300HSR5數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,045.43 KB)
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MRFE6VP6300HSR5規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益26.5dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出300W
電壓-額定130V
包裝/箱NI-780S-4
供應商設備包裝NI-780S-4

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

230MHz

增益

26.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

300W

電壓-額定

133V

包裝/箱

NI-780S-4

供應商設備包裝

NI-780S-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.03GHz ~ 1.09GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

770W

電壓-額定

105V

包裝/箱

NI780-4

供應商設備包裝

NI-780-4

LET9060

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

960MHz

增益

17.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

12A

噪聲系數

-

當前-測試

300mA

功率-輸出

60W

電壓-額定

80V

包裝/箱

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

供應商設備包裝

PowerSO-10RF (Formed Lead)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.93GHz ~ 1.99GHz

增益

13.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

22W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

960MHz

增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

125mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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