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MRFE6VP6600NR3

MRFE6VP6600NR3

僅供參考

型號 MRFE6VP6600NR3
PNEDA編號 MRFE6VP6600NR3
描述 TRANS RF LDMOS 600W 50V
制造商 NXP
單價
1 ---------- $1,267.5465
50 ---------- $1,208.1303
100 ---------- $1,148.7140
200 ---------- $1,089.2978
400 ---------- $1,039.7842
500 ---------- $990.2707
庫存 792
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP6600NR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP6600NR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6VP6600NR3, MRFE6VP6600NR3數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,218.73 KB)
PDFMRFE6VP6600GNR3數據表 封面
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MRFE6VP6600NR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益24.7dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出600W
電壓-額定133V
包裝/箱OM780-4
供應商設備包裝OM780-4

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-

額定電流(安培)

20mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.45GHz

增益

14.7dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

256W

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM-780-2

供應商設備包裝

OM-780-2

PTFA081501E1V4R250XTMA1

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晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

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-

制造商

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晶體管類型

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頻率

2.11GHz ~ 2.18GHz

增益

18.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

120W

電壓-額定

65V

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制造商

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晶體管類型

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頻率

2.45GHz

增益

19dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

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