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MS1030

MS1030

僅供參考

型號 MS1030
PNEDA編號 MS1030
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS1030資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS1030
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS1030規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

增益

10dB ~ 24dB

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

4-DFP

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

870MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.5dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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CEL

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 70mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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