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MS105E3/TR12

MS105E3/TR12

僅供參考

型號 MS105E3/TR12
PNEDA編號 MS105E3-TR12
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS105E3/TR12資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS105E3/TR12
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MS105E3/TR12, MS105E3/TR12數據表 (總頁數: 2, 大小: 92.04 KB)
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MS105E3/TR12規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果690mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

200pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-15

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1400V

電流-平均整流(Io)

650A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.05V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 15V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 6800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

DO-200AB, B-PUK

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