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MS2562

MS2562

僅供參考

型號 MS2562
PNEDA編號 MS2562
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS2562資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS2562
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS2562規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

10.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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