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MS2N4931

MS2N4931

僅供參考

型號 MS2N4931
PNEDA編號 MS2N4931
描述 TRANS PNP TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS2N4931資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS2N4931
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MS2N4931規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 300mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

25µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1.5A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 5A, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 210mA, 4.2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

130mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.3W

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2.5A, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

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