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MSB92T1

MSB92T1

僅供參考

型號 MSB92T1
PNEDA編號 MSB92T1
描述 TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSB92T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSB92T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MSB92T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)250nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 30mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 10V

功率-最大

1.25W

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工作溫度

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 6A, 5V

功率-最大

63W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 10mA, 3V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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