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MSB92T1

MSB92T1

僅供參考

型號 MSB92T1
PNEDA編號 MSB92T1
描述 TRANS PNP 300V 0.15A SC-59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSB92T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSB92T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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MSB92T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)250nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 30mA, 10V
功率-最大150mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126

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ON Semiconductor

制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN + Zener Diode (Isolated)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 140mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

135MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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