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MSE07PJ-M3/89A

MSE07PJ-M3/89A

僅供參考

型號 MSE07PJ-M3/89A
PNEDA編號 MSE07PJ-M3-89A
描述 DIODE GP 600V 700MA MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 35,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSE07PJ-M3/89A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSE07PJ-M3/89A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSE07PJ-M3/89A, MSE07PJ-M3/89A數據表 (總頁數: 4, 大小: 94.93 KB)
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MSE07PJ-M3/89A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)700mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.08V @ 700mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱MicroSMP
供應商設備包裝MicroSMP
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 30V

電容@ Vr,F

20pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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300V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AB (SMC)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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