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MSE1PD-M3/89A

MSE1PD-M3/89A

僅供參考

型號 MSE1PD-M3/89A
PNEDA編號 MSE1PD-M3-89A
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 147,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSE1PD-M3/89A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSE1PD-M3/89A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSE1PD-M3/89A, MSE1PD-M3/89A數據表 (總頁數: 5, 大小: 104.59 KB)
PDFMSE1PGHM3/89A數據表 封面
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MSE1PD-M3/89A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱MicroSMP
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

245pF @ 0V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

135V

電流-平均整流(Io)

240A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 240A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 135V

電容@ Vr,F

6000pF @ 5V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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