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MSQ1PJHM3/H

MSQ1PJHM3/H

僅供參考

型號 MSQ1PJHM3/H
PNEDA編號 MSQ1PJHM3-H
描述 1A, 600V, MICROSMP, ESD PROTECTI
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 350,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSQ1PJHM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSQ1PJHM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSQ1PJHM3/H, MSQ1PJHM3/H數據表 (總頁數: 5, 大小: 107.62 KB)
PDFMSQ1PJHM3/H數據表 封面
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MSQ1PJHM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)650ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱MicroSMP
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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100V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

320A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 750A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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