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MSR860G

MSR860G

僅供參考

型號 MSR860G
PNEDA編號 MSR860G
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSR860G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSR860G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSR860G, MSR860G數據表 (總頁數: 6, 大小: 119.74 KB)
PDFMSR860數據表 封面
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MSR860G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

74µA @ 650V

電容@ Vr,F

641.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-2

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

50A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 50A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

3174pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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