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MSS1P3U-M3/89A

MSS1P3U-M3/89A

僅供參考

型號 MSS1P3U-M3/89A
PNEDA編號 MSS1P3U-M3-89A
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSS1P3U-M3/89A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSS1P3U-M3/89A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MSS1P3U-M3/89A, MSS1P3U-M3/89A數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.81 KB)
PDFMSS1P3U-M3/89A數據表 封面
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MSS1P3U-M3/89A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果400mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.2mA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱MicroSMP
供應商設備包裝MicroSMP
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

70ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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