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MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

僅供參考

型號 MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
PNEDA編號 MT28EW512ABA1LJS-0SIT-TR
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR, MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR數據表 (總頁數: 81, 大小: 1,091.47 KB)
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MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8, 32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間95ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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Micron Technology Inc.

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1866MHz

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

48Gb (768M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

-

包裝/箱

-

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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