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MT28F128J3RG-12 ET TR

MT28F128J3RG-12 ET TR

僅供參考

型號 MT28F128J3RG-12 ET TR
PNEDA編號 MT28F128J3RG-12-ET-TR
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP I
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT28F128J3RG-12 ET TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT28F128J3RG-12 ET TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT28F128J3RG-12 ET TR, MT28F128J3RG-12 ET TR數據表 (總頁數: 55, 大小: 784.78 KB)
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MT28F128J3RG-12 ET TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小128Mb (16M x 8, 8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間120ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP I

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

32Gb (1G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EERAM

技術

EEPROM, SRAM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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