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MT28F800B3SG-9 TET TR

MT28F800B3SG-9 TET TR

僅供參考

型號 MT28F800B3SG-9 TET TR
PNEDA編號 MT28F800B3SG-9-TET-TR
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT28F800B3SG-9 TET TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT28F800B3SG-9 TET TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT28F800B3SG-9 TET TR, MT28F800B3SG-9 TET TR數據表 (總頁數: 30, 大小: 481.27 KB)
PDFMT28F800B3WP-9 T TR數據表 封面
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MT28F800B3SG-9 TET TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁90ns
訪問時間90ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
供應商設備包裝44-SOP

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

供應商設備包裝

32-SOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2.1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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