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MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR

僅供參考

型號 MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR
PNEDA編號 MT29C1G12MAACVAMD-5-E-IT-TR
描述 IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR
類別半導體內存IC內存

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MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱130-VFBGA
供應商設備包裝130-VFBGA (8x9)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-LBGA (12x18)

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Renesas Electronics America

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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