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MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR

僅供參考

型號 MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR
PNEDA編號 MT29C1G12MAAIYAMR-5-AIT-TR
描述 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 200MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR
類別半導體內存IC內存

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MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (16M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱130-VFBGA
供應商設備包裝130-VFBGA (8x9)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

107-TFBGA

供應商設備包裝

107-TFBGA

7130LA55PF

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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