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MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

僅供參考

型號 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR
PNEDA編號 MT29C8G96MAZBADJV-5-WT-TR
描述 IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR, MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR數據表 (總頁數: 220, 大小: 1,952.51 KB)
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MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH, RAM
技術FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
內存大小8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-VFBGA
供應商設備包裝168-VFBGA (12x12)

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內存接口

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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