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MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

僅供參考

型號 MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
PNEDA編號 MT29E128G08CECDBJ4-6-D-TR
描述 IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小128Gb (16G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-VBGA
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

72Mb (1M x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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