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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

僅供參考

型號 MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
PNEDA編號 MT29E512G08CEHBBJ4-3-B-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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