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MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

僅供參考

型號 MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
PNEDA編號 MT29E512G08CMCCBH7-6ES-C-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝152-TBGA

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內存接口

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時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5µs

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150µs

訪問時間

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

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