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MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

MT29F128G08AECBBH6-6:B TR

僅供參考

型號 MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
PNEDA編號 MT29F128G08AECBBH6-6-B-TR
描述 IC FLASH 128G PARALLEL 152VBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F128G08AECBBH6-6:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F128G08AECBBH6-6:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小128Gb (16G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝152-VBGA (14x18)

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內存格式

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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技術

SDRAM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.8V ~ 6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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訪問時間

110ns

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