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MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

僅供參考

型號 MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
PNEDA編號 MT29F1G01ABAFD12-AATES-F
描述 IC FLASH 1G SPI 24TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
類別半導體內存IC內存

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MT29F1G01ABAFD12-AATES:F規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (1G x 1)
內存接口SPI
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-T-PBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

384Gb (48G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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