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MT29F1G08ABCHC-ET:C TR

MT29F1G08ABCHC-ET:C TR

僅供參考

型號 MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
PNEDA編號 MT29F1G08ABCHC-ET-C-TR
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1G08ABCHC-ET:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1G08ABCHC-ET:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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工作溫度

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安裝類型

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