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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

僅供參考

型號 MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
PNEDA編號 MT29F1T08CMHBBJ4-3R-B
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $1,640.0733
50 ---------- $1,563.1949
100 ---------- $1,486.3165
200 ---------- $1,409.4380
400 ---------- $1,345.3727
500 ---------- $1,281.3073
庫存 3,619
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
類別半導體內存IC內存

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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Insignis Technology Corporation

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (MLC)

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

eMMC

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-TBGA

供應商設備包裝

152-TBGA (14x18)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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-

內存類型

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內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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