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MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR

MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR

僅供參考

型號 MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR
PNEDA編號 MT29F1T08CUCCBH8-6R-C-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱152-LBGA
供應商設備包裝152-LBGA (14x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

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10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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安裝類型

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包裝/箱

96-TFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

86-TSOP II

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