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MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR

僅供參考

型號 MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR
PNEDA編號 MT29F1T08EEHAFJ4-3R-A-TR
描述 IC FLASH 1T PARALLEL 132VBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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