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MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

僅供參考

型號 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
PNEDA編號 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ-A
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-TBGA (12x18)

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.2V ~ 5.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

供應商設備包裝

24-FBGA (6x8)

MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

64Gb (2G x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL1-K

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

7026S55JI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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