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MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR

MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR

僅供參考

型號 MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
PNEDA編號 MT29F256G08CMHGBJ4-3R-G-TR
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

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工作溫度

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