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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A

僅供參考

型號 MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
PNEDA編號 MT29F256G08EBHAFJ4-3R-A
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

84-PLCC (29.31x29.31)

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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